VDMOS簡介

垂直導(dǎo)電-雙擴散-金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效應(yīng)管
Vertical-Double diffused-Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect
Transistor, VDMOSFET

Metal就是Gate柵極作為控制極的，而Oxide是柵氧作為場效應(yīng)感應(yīng)反型溝道的，Semiconductor自然就是襯底溝道的硅了，而Field Effect自然就是說它的工作原理了，它的控制極是靠柵極電壓通過柵極氧化層感應(yīng)產(chǎn)生反型溝道實現(xiàn)源漏導(dǎo)通，從而實現(xiàn)“0”和“1”的轉(zhuǎn)換。

VD MOS  芯片結(jié)構(gòu)

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